Схема p n перехода

схема p n перехода
Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении. Поэтому по типу проводимости канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Одним з цих фундаментальних перешкод була неможливість електричної ізоляції елементів, сформованих на одному кристалі напівпровідника. Рис. 1.9 ВАХ p-n-перехода Механизм лавинного пробоя подобен механизму ударной ионизации в газах. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность p-типа. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом Поскольку в рабочем режиме ток затвора обычно невелик или вообще равен нулю, то графики входных характеристик полевых транзисторов мы рассматривать не будем.


Так как это поле велико, концентрация электронов в базе непосредственно у коллекторного р-п перехода практически равна нулю. Обычно b составляет 10 – 300, в редких случаях (у очень широкополосных транзисторов) b может быть меньше (порядка 2…5), или больше, 5 000…10 000 у супербетатранзисторов. При прямом смещении к емкости слоя объемного заряда, которая называется также зарядной или барьерной екостью, добавляется диффузионная емкость, обусловленная тем, что увеличение напряжения на p-n- переход приводит к увеличению концентрации неосновных носителей, то есть к изменению заряда. Область с высокой концентрацией примеси (низкоомная область) является основным источником носителей подвижных зарядов через p-n-переход и называется эмиттером. В состоянии равновесия уровень Ферми в n- и p-областях выравнивается.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Такие ВЧ и СВЧ приборы впервые были созданы в СССР специалистами НИИ «Пульсар» Бачуриным В. В. (кремниевые приборы) и Ваксембургом В. Я. (арсенид-галлиевые приборы) Исследование их импульсных свойств было выполнено научной школой проф. Полярности напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны. Туннельный пробой происходит, когда геометрическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости (ширина барьера) достаточно мало, то возникает туннельный эффект – явление прохождения электронов сквозь потенциальный барьер.

Похожие записи: